机译:具有p型口袋层的自对准栅极GaAs MESFET,用于高效线性功率放大器
机译:使用具有非对称Au栅极的InGaP / InGaAs / GaAs异质结构MESFET的V波段放大器
机译:用于GaAs MMIC中可变增益和功率放大器的分段双栅极MESFET
机译:高功率,MIGH效率放大器设计利用大型闸门几何MESFET建模
机译:砷化镓MESFET中栅极电容的建模
机译:用于调查医院急诊室资源利用的仿真模型
机译:使用碳化硅MESFET的超宽带5 W混合功率放大器设计
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。