Development Division, Ise Electronics Co., 728-23 Tsumura, Ise 516-1103, Japan;
机译:表面分解形成的SiC上密集堆积的垂直排列碳纳米管薄膜的摩擦学特性
机译:利用光电子能谱法对SiC进行表面分解而形成的碳纳米管/ n型6H-SiC异质结的能带取向
机译:利用光电子能谱法对SiC进行表面分解而形成的碳纳米管/ n型6H-SiC异质结的能带取向
机译:由SiC表面分解形成的碳纳米管膜的场发射
机译:碳纳米管的场发射和碳纳米管中的化学镀银:利用在多孔氧化铝中形成的碳纳米管。
机译:衬底形态对碳纳米管薄膜生长和场发射特性的影响
机译:从碳纳米管到金刚石的取向碳纳米结构薄膜的场发射特性比较研究
机译:用碳纳米管表面分解表征碳纳米管的场发射特性