State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing, China;
abrasives; planarisation; sapphire; semiconductor technology; silicon compounds; slurries; CMP efficiency; SiOsub2/sub; atomic-level smooth surface realization; chemical-mechanical planarization; hexagonal sapphire wafer surface; nanocolloidal silica abrasive; particle size; planarization quality; slurry; surface roughness quality; wafer surface; Abrasives; Planarization; Rough surfaces; Slurries; Surface roughness; Surface topography;
机译:二氧化硅和二氧化铈磨料纳米颗粒的附着力对二氧化硅表面化学机械平面化的影响
机译:通过使用真空紫外光的无磨料化学机械平面化/抛光生产的超平坦和超光滑的铜表面
机译:不同尺寸的胶体二氧化硅磨料的表征及其在4H-SiC上的化学机械抛光性能(0001)
机译:化学机械平面化浆料胶体二氧化硅磨料对吸附现象的单分子光谱分析
机译:使用气相二氧化硅磨料对铜/钽薄膜进行化学机械平面化的机理。
机译:表面改性和磨料抛光之间的竞争:控制4H-SiC表面原子结构的方法(0001)
机译:YO纳米片用作铜化学机械平面化的浆料研磨剂
机译:化学机械抛光在表面微加工设备平面化中的应用