Department of Physics and Measurement Technology, Linkoeping University, 581 83 Linkoeping, Sweden;
III-V semiconductors; vapor phase epitaxy; growth from vapor phase;
机译:使用纳米多孔GaN层将HVPE-GaN厚膜与GaN模板分离
机译:通过在具有良好表面的HVPE-GaN衬底上外延生长从Ga_2O蒸气生长的GaN层的生长速率急剧增加
机译:纳米管及其在厚HVPE-GaN层中的生长模式的关系
机译:free-standing HV PE-Gan layers
机译:在独立的阻挡层之间包含氮间隔物的多层阻挡膜。
机译:两性共聚物膜作为牺牲层用于构建自由站立的逐层膜的用途
机译:两性共聚物薄膜作为牺牲层用于构建独立的逐层薄膜的用途
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻