Satellite Venture Business Laboratory, Mie University, 1515 Kamihama, Tsu, Mie 514-8507, Japan;
linear defects: dislocations, disclinations; scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC); cathodoluminescence, ionoluminescence; III-V semiconductors; chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
机译:金属有机气相外延在独立(001)3C-SiC和GaAs衬底上生长的立方GaN膜的截面空间分辨阴极发光研究
机译:时空分辨阴极荧光光谱技术的实现,用于研究在独立GaN衬底上生长的低位错密度m平面ln_(0.05)Ga_(0.95)N外延层中的局部载流子动力学
机译:通过无掩模悬臂外延在Si(111)衬底上生长的GaN层中位错和晶体学倾斜的空间分辨分布
机译:在Si(111)基板上生长的所选区域ELO-GaN的空间解决的阴极致发光研究
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:Si(111)衬底上生长的闪锌矿单InAs纳米线的拉曼研究
机译:用于研究局部载体动力学的时空分离的阴离子发光光谱法在一个独立的GaN衬底上生长的低位位移密度平面中局部载体动力学的频率光谱学研究在0.05ga0.95N中生长