Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Tokushima, 2-1 Minami-josanjima, Tokushima 770-8506, Japan;
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.; chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
机译:通过结合SiN_x中间层和改变的GaN生长模式来提高GaN外延层的质量
机译:InN中间层上GaN层的MOCVD生长和残余应变的松弛
机译:使用ALD生长的Al_2O_3中间层在Si(111)衬底上MOGaN生长GaN
机译:MOCVD与犯罪中的甘中甘曲线的增长与评价
机译:光学建模,MOCVD生长和新型制造技术的半极(20-21)GaN倒装芯片边缘发射激光器结构
机译:短波长光束通过MOCVD原位监测InGaN / GaN绿色LED的生长
机译:具有通过MOCVD生长的AlN中间层的AlGaN / GaN / InGaN / GaN DH-HEMTs结构
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻