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Fixed Charge Density of Alumina Films Deposition by Thermal ALD under Different Deposition Temperatures

机译：不同沉积温度下热ALD沉积氧化铝膜的固定电荷密度

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《International photovoltaic science and engineering conference》|2012年|1|共1页
会议地点 Hangzhou(CN)
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1. Influence of deposition temperature of thermal ALD deposited Al2O3 films on silicon surface passivation [J] . Neha Batra, Jhuma Gope, Vandana, AIP Advances . 2015,第6期

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2. Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD) yields better Hydrolytical Stability of Biocompatible SiOx Thin Films on Implant Alumina Ceramics compared to Rapid Thermal Evaporation Physical Vapor Deposition (PVD) [J] . Boeke Frederik, Giner Ignacio, Keller Adrian, ACS applied materials & interfaces . 2016,第28期

机译：与快速热蒸发物理气相沉积（PVD）相比，等离子体增强化学气相沉积（PE-CVD）在植入氧化铝陶瓷上产生更好的生物相容性SiOx薄膜的水解稳定性
3. Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD) yields better Hydrolytical Stability of Biocompatible SiOx Thin Films on Implant Alumina Ceramics compared to Rapid Thermal Evaporation Physical Vapor Deposition (PVD) [J] . Boeke Frederik, Giner Ignacio, Keller Adrian, ACS applied materials & interfaces . 2016,第28期

机译：与快速热蒸发物理气相沉积（PVD）相比，等离子体增强化学气相沉积（PE-CVD）在植入氧化铝陶瓷上产生更好的生物相容性SiOx薄膜的水解稳定性
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7. Influence of deposition temperature of thermal ALD deposited Al2O3 films on silicon surface passivation [O] . Neha Batra, Jhuma Gope, Vandana, 2015

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