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【24h】

Electrical characterization of process induced effects on non-silicon devices

机译:对非硅器件的过程感应效应的电学表征

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摘要

devices are evaluated due to their promise for future internet of things technology applications beyond silicon. Low temperature processing of gate dielectrics introduce new challenges in obtaining optimal device performance. HfO
机译:这些设备之所以受到评估,是因为它们有望在硅以外实现未来的物联网技术应用。栅极电介质的低温处理在获得最佳器件性能方面提出了新的挑战。 f

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