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SNUBBER CIRCUIT AND MOSFET PARALLELING CONSIDERATIONS FOR HIGH POWER BOOST-BASED POWER-FACTOR CORRECTORS

机译:基于大功率升压的功率因数校正器的缓冲器电路和MOSFET并联考虑

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摘要

Use of appropriate snubber circuit and paralleling of power switches are very important issues for high power boost-based PFC's. This paper shows that practical approach to the snubbing problem is a simple turn-on snubber with di/dt control of the diode reverse-recovery transition. Implementation of such snubber in boost converters with paralleled MOSFET switches is then discussed.
机译:对于基于大功率升压的PFC,使用适当的缓冲电路和电源开关的并联是非常重要的问题。本文表明,解决缓冲器问题的实用方法是采用二极管反向恢复过渡的di / dt控制的简单开启缓冲器。然后讨论了在具有并联MOSFET开关的升压转换器中实现这种缓冲器的方法。

著录项

  • 来源
    《INTELEC '95》|1995年|41-45|共5页
  • 会议地点 The Hague(NL);The Hague(NL)
  • 作者

    A. Pietkiewicz; D. Tollik;

  • 作者单位

    Ascom Energy Systems Ltd. Murtenstrasse 133, CH-3000 Beme 5, Switzerland;

    Ascom Energy Systems Ltd. Murtenstrasse 133, CH-3000 Beme 5, Switzerland;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 通信;
  • 关键词

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