School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Buk-gu, Daegu 702-701, Korea;
School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Buk-gu, Daegu 702-701, Korea;
School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Buk-gu, Daegu 702-701, Korea;
School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Buk-gu, Daegu 702-701, Korea;
School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Buk-gu, Daegu 702-701, Korea;
image sensor; binary processing; active pixel sensor; gate/body-tied; MOSFET; photodetector;
机译:使用栅极/主体P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管型光电探测器的互补金属氧化物半导体图像传感器,用于高速二进制操作
机译:具有反馈结构的带栅/束缚金属氧化物硅场效应晶体管型光电探测器的可变动态范围互补金属氧化物半导体图像传感器
机译:带有内置传输门的CMOS图像传感器的N阱/门式PMOSFET型光电探测器的光学特性
机译:二元CMOS图像传感器,带有栅极/机身MOSFET型光电探测器,用于高速操作
机译:利用统计を见る针对高速和低功耗运行的四分之一微米门CMOS / SOI电路的优化设计
机译:用于CMOS图像传感器的12位高速列并行两步单斜率模数转换器(ADC)
机译:互补金属氧化物半导体图像传感器使用栅极/体绑住的P沟道金属氧化物半导体效果晶体管型光电探测器,用于高速二进制操作