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Comparative Study of Total Ionizing Dose Effects on the Silicon-Controlled Rectifier Devices for HV and LV ESD Protections

机译:用于HV和LV ESD保护的可控硅整流器件的总电离剂量效应的比较研究

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摘要

In this paper, the total ionizing dose (TID) effects on low voltage triggering silicon controlled rectifier (LVTSCR) and LDMOS-SCR are studied for low voltage (LV) and high voltage (HV) ESD protections, respectively. They are fabricated in a 5V/24V 0.5-μm CDMOS process and exposed to
机译:在本文中,分别针对低压(LV)和高压(HV)ESD保护研究了总电离剂量(TID)对低压触发可控硅(LVTSCR)和LDMOS-SCR的影响。它们采用5V / 24V0.5μmCDMOS工艺制造并暴露于

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