Sch. of Inf. & Commun. Eng. Sungkyunkwan Univ. Suwon South Korea;
DRAM chips; SRAM chips; error correction codes; low-power electronics; ECC-based auto-adjusted self-refresh scheme; autoadjusted self-refresh control scheme; data-retention power consumption; embedded DRAM technology; error correction code; frequency 166 MHz; low-power embedded pseudo-SRAM; size 45 nm; temperature 293 K to 298 K; voltage 1.1 V; Embedded memory; Self-refresh; error correction code (ECC); low Power; pseudo-SRAM;
机译:具有片上PROM模式寄存器的低功耗DRAM的双周期自刷新方案
机译:具有片上PROM模式寄存器的低功耗DRAM的双周期自刷新方案
机译:使用非2n数据位的减少校验位的码字,用于DRAM中基于ECC的自刷新增强技术
机译:45nm低功耗嵌入式伪SRAM,具有基于ECC的自动调整自刷新方案
机译:适用于3G宽带CDMA系统的手机上的智能天线和自适应低功耗Rake组合方案。
机译:基于安全的基于ECC的无线传感器网络身份验证方案
机译:13.1低于1W至2W的低功耗IA处理器,适用于45nmHi-κ金属门CMOS的移动互联网设备和超移动PC