Department of Electrical Engineering National University of Kaohsiung Taiwan No.700 Kaohsiung University Rd. Nan-Tzu Dist. Kaohsiung Taiwan;
机译:SiGe通道,用于V-T控制高k金属栅极晶体管,用于32 nm互补金属氧化物半导体技术及其他
机译:SiGe源极/漏极引起的压缩应变对高k /金属栅极p沟道金属氧化物半导体晶体管中的低频噪声的影响
机译:通过原位HC1刻蚀控制通道SiGe的形貌和形貌,以实现具有高K金属栅极的未来CMOS技术
机译:用于高k /金属栅极SiGe通道UTBB CMOSFET的提出的高可制造性应变技术
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:高k金属栅极UTBB-FDSOI器件中的有效场和通用迁移率