College of Electronic Science National University of Defense Technology Chang Sha China;
Luoyang Electronic Equipment Test Center of China Luo yang China;
Colleg;
Neurons; Switches; Electric potential; Generators; Integrated circuit modeling; Simulation;
机译:通过调整阈值和双极切换效果将人工神经元和基于SiO2的忆阻器件的突触特性
机译:基于NBO_2的阈值开关装置作为振动神经元的低温行为
机译:基于HfO2的纳米级RRAM器件中用于人工神经元和突触元件的阈值和多级电阻切换特性的双重功能
机译:基于阈值开关装置的敏感性或习惯性的神经元电路
机译:了解基于Taox的选择设备中的阈值切换
机译:掺杂Sb对基于Ge-Se的Ovonic门限开关的电子结构和器件特性的影响
机译:使用单量子点用于六边形BDD量子电路的GaAs单电子路径切换节点设备的特性
机译:用于六角形BDD量子电路的单量子点Gaas单电子路径开关节点器件的特性