Texas Instruments, Inc. Dallas, Texas;
via; contact; CVD W; tungsten void; seam, metal; interconnect; plug fill;
机译:新型MOCVD PZT技术提高0.25μm15F〜2框架的可靠性
机译:在0.25μmSiGe:C BiCMOS技术中模块化填充钨的环形TSV结构
机译:使用排除环技术避免CVD钨斜角污染
机译:CVD钨通过空隙最小化为0.25μm技术
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机译:最小化LED硅酮密封胶的残留空隙和光学双折射的最佳固化工艺
机译:钨和钼及其硅化物的CVD羰基薄膜 - 一种良好的CVD氟化钨技术替代品
机译:CVD反应器中化学和传输现象的详细建模。应用于钨LpCVD(Gedetailleerde modellering van Chemie en Transportverschijnselen in CVD Reactoren。Toepassing op Wolfraam LpCVD)