【24h】

CVD Tungsten Via Void Minimization for Sub 0.25 μm Technology

机译:低于0.25μm技术的通过空隙最小化的CVD钨

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摘要

The mechanism of void formation in tungsten plugs during W CVD process is analyzed qualitatively and analytically. A simple mathematical model for W plug fill is presented for order of magnitude analyses. The model is shown to make good "relative" predictions for process pressure and temperature to be used to fill various aspect ratio contacts. The electrical data shows that contacts with smaller voids result in lower via chain and Van der Pauw resistances.
机译:定性和分析了钨CVD过程中钨塞的空洞形成机理。提出了一个简单的W塞填充数学模型,用于数量级分析。该模型显示出对用于填充各种纵横比接触的过程压力和温度的良好“相对”预测。电气数据表明,具有较小空隙的触点会导致通孔链和Van der Pauw电阻降低。

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