机译:调谐比大于60:1的CMOS-MEMS 3位数字电容器
机译:宽带DC至20 GHz 3位MEMS数字衰减器(3)
机译:使用柔性电极和非线性结构刚度的MEMS电容器的线性化和可调性改进
机译:高Q 3位线性数字MEMS电容器
机译:使用集成的可移动自掩蔽技术实现的线性可调RF-MEMS电容器。
机译:具有集成微孔板的低功耗MEMS IDE电容器:用作使用金属有机框架涂层作为亲和层的甲醇传感器
机译:新型分段板线性可调MEMS电容器的开发
机译:具有3位高Q正交RF-mEms电容网络的低损耗4-6 GHz可调谐滤波器;最终的评论。 2007年5月1日至12月31日