Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Yamaguchi University, Ube, 755-8611, Japan;
LED; extraction efficiency; large area; geometry; FDTD; simulation;
机译:过度电应力下GaN基LED的失效极限和电光特性
机译:使用可转移ZnSNO3(ZTO)微球片单层的GaN基发光二极管(LED)的光学和电能改进
机译:隔离沟槽的轮廓和尺寸对GaN基高压LED的光电性能的影响
机译:大面积GaN的光学设计
机译:超越传统的基于c面的GaN发光二极管:对LED在半极性方向上的系统研究。
机译:分布式布拉格反射器对GaN基倒装芯片发光二极管电学和光学性能的影响
机译:复杂耦合的基于InGaN / GaN的光泵浦多量子阱分布式反馈激光器的实现