Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California/Berkeley, Berkeley, CAUSA 94720-1770;
RFIC; MOM capacitors; annular illumination; lithography; interdigitated;
机译:180 nm CMOS工艺中的横向场金属氧化物金属电容器不匹配
机译:通过优化氧化物层提高金属氧化物金属(MOM)二极管的性能
机译:通过氧化物层的优化提高金属氧化物金属(MOM)二极管的性能
机译:金属氧化物 - 金属(MOM)电容器的过程变化
机译:电化学电容器中使用的活性非石墨碳:加工过程中物理化学性质的演变和控制
机译:ApcMin / + Mom1S小鼠腺瘤多样性变异的遗传基础
机译:通过优化氧化物层来提高金属氧化物金属(MOM)二极管的性能。
机译:由亚微米I.C过程中的氧化物厚度变化引起的电容器不匹配