Department of Materials Science and Engineering Stanford University,rnStanford, CA 94305, USA;
Intel Corporation, Hillsboro, OR 97124, USA;
Intel Corporation, Hillsboro, OR 97124, USA;
Department of Materials Science and Engineering Stanford University,rnStanford, CA 94305, USA;
机译:尾态联合密度法研究氢化非晶碳化硅薄膜的室温光致发光光谱及其在等离子体沉积氢化非晶碳化硅薄膜中的应用
机译:用光混合技术研究沉积条件对本征氢化非晶硅和氢化非晶碳化硅薄膜传输性能的影响
机译:用于MEMS的氢化非晶碳化硅薄膜的电感耦合等离子体增强化学气相沉积
机译:用于MEMS / NEM的高韧性和水分不敏感氢化非晶碳化硅膜
机译:使用直流等离子体等离子体增强化学气相沉积法合成化学计量的氢化非晶碳化硅薄膜。
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:通过快速热退火工艺提高氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日