GaN系絶縁膜制御技術

摘要

近年n-GaNエピ基板上に作製したp-GaN領域のMOS反転電子層をチャネルに利用した縦型パワーMOSFETを開発する研究が活発化している。結晶欠陥の無い大面積GaNウェハの開発と高性能な縦型パワートランジスタの開発が世界的な課題となっている。物質・材料研究機構（NIMS）は、この目的に沿った文科省事業「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」を通して、GaNウェハ結晶やMOS界面およびMOSデバイス構造の評価を進めており、機構内組織として新たに「窒化ガリウム評価基盤領域」を設立し、評価・計測組織28名の研究者を結集して取り組んでいる。本シンポジウムでは、 GaN系絶縁膜制御技術としてMOSゲート絶縁膜やMOS界面構造、およびGaN自然酸化膜構造を含めた最新研究動向を述べる。