Polymer Chemistry Nanotechnology Laboratory at Center for Optoelectronic and Optical communications, Department of Chemistry, University of North Carolina, Charlotte, North Carolina 28223,USA;
Intel Corp., Hillsboro, OR 97124,USA;
Lab. de Nanotecnologia e;
193-nm lithography; photoacid generator (PAG); anionic PAG; polymer resist; LER;
机译:用于193 nm光刻的新型聚合物阴离子光酸产生剂(PAG)和相应的聚合物
机译:用于50 nm以下EUV光刻的新型阴离子光酸产生剂(PAG)和相应的PAG键合聚合物
机译:PAG Incorporated聚合物抗蚀剂可在193 nm曝光下进行亚100 nm图案化
机译:新的聚合物阴离子光酸发生器(PAG)和300nm图案化的光致抗蚀剂到193nm光刻
机译:高级光刻胶材料的设计和研究:减少环境影响的正性光刻胶和用于157 nm光刻的材料。
机译:纳米拉丝光刻技术对支持的双层膜进行亚100纳米图案化
机译:新型阴离子光酸发生器(PAG)结合聚合物的合成,表征和光刻性能