Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1, Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, Japan;
RELACS; shrink technology; chemically amplified resist;
机译:缩小适用于65 nm及以下节点的ULK材料的厚度及其对电性能的影响
机译:面向65 nm及以下节点的无掩模光刻数据处理系统
机译:BEOL处理:铜电镀,CMP挑战在65纳米节点及以后变得更加复杂
机译:新开发的relacs材料和65 nm节点的过程
机译:新开发的发光材料的光谱表征以及环境对其光物理性质的影响。
机译:通过新开发的方法测量高级多层金属材料的腐蚀速率和保护剂有效性
机译:工艺窗口OPC验证:65 nm节点的干法与浸没式光刻