DongbuAnam Semiconductor Inc. Advanced Nano-Tech Development Division;
ArF lithography; LER; LES; CD linearity; gate patterning; trim process;
机译:90纳米以下互补金属氧化物半导体场效应晶体管的应力增强刻槽技术优化晶体管的额外奖励
机译:使用矿井双重图案化技术制造具有不对称源极/漏极的100nm以下亚金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:在不进行源/漏激活退火的情况下,在绝缘体金属氧化物-硅-场效应晶体管上制备50 nm Trigate硅
机译:通过在ARF光源下使用Trim技术的晶体管制造Sub-90nm晶体管
机译:氧化锌发光二极管,氧化铟锌薄膜晶体管和氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管基生物传感器的制造与表征。
机译:基于硅磁敏晶体管的单片集成二维磁场传感器的制造技术和特性研究
机译:65nm CMOS技术PMOS晶体管的芯片到芯片和芯片内制造变化
机译:透水基三极管,对置栅 - 源晶体管和异质结构发射弹道场效应晶体管比较电性能的数值模拟