Tokyo Electron AT Ltd., 650 Mitsuzawa, Hosaka-cho, Nirasaki, Yamanashi, Japan, 407-0192;
机译:用于亚100nm图案化的COMA型ArF抗蚀剂的实现
机译:原子力显微镜(AFM)的微尖端分析ArF / SOR抗蚀剂图案的附着力和内聚力
机译:EUV抵制测试状态并减少光刻后的LWR
机译:通过抗蚀性平滑过程减少ARF抗蚀剂图案
机译:砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行,并通过荧光进行抗蚀剂研究。
机译:生殖系统中心B细胞抵抗Kras独立于肿瘤抑制因子ARF的转化
机译:使用Silsesquoxane进行化学扩增的Si抗蚀剂,用于ARF光刻(休闲)及其在双层抗蚀剂过程中的应用。
机译:用于arF光刻的酸催化单层抗蚀剂