AZ Electronic Materials USA Corp., 70 Meister Avenue, Somerville, NJ 08876, USA;
193nm resist; contact hole; circularity; sidewall roughness; PEB sensitivity; shrinkage; thermal flow; prolith™simulation; RELACS™AZ~reg; AX™2050P;
机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
机译:光酸产生剂掺入聚合物主链中对193 nm化学放大的抗蚀剂行为和光刻性能的影响
机译:193 nm超薄光刻胶可改善光刻性能
机译:高级193 NM接触孔抗蚀性的平移性能
机译:i-line和DUV光刻胶的光刻性能及其在先进集成电路技术中的应用。对苯二甲酸二辛酯(5-)作为细胞外空间标记物和NMR移位试剂,用于定量测定组织。人工湿地中铬(IV)的化学性质。
机译:多金属氧酸盐杂化材料作为可图案化电介质和光刻胶的研究
机译:高级193nm抗蚀剂研究。材料性能和光刻性能。
机译:抗蚀技术与加工XII的进展。亚0.25微米光刻的193纳米硅烷化工艺的优化