Department of Chemistry, School of Molecular Scinece (BK-21), and Center for Advanced Functional Polymers, Korea Advanced Institute of Science and Technology, 373-1, Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon, 305-701, South Korea;
water-soluble polymers; cross-linking; 193-nm photoresist;
机译:基于酸催化缩醛化的环保负性抗蚀剂,用于193 nm光刻
机译:绿色光刻技术中源自生物质的无溶剂无水可显影防糖材料
机译:使用源自生物质的可水显影抗蚀剂材料进行的环保电子束光刻
机译:用于193-NM光刻的含硅甲基丙烯酸酯的双层抗蚀剂的蚀刻条件优化
机译:探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂,用于193 nm光刻。
机译:聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸缩水甘油酯(PS-b-PSMA)和两亲性聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸甘油酯(PS-b-PGMA)的嵌段共聚物膜
机译:脂环酰基丙烯酸酯抗蚀剂与。 - γ-丁内酯保护基193纳米光刻的评价。
机译:193-Nm光刻的全干抗蚀剂工艺