ミスト CVD 法による c 面 Al_2O_3 基板へのNi_(1-X)Mg_XO 薄膜のエピタキシャル成長とバンドギャップ制御

摘要

NiO は、酸化物半導体では稀少な p 型伝導性を示すワイドギャップ (3.6eV) 半導体として知られており、発光デバイスやパワーデバイスへの応用が期待されている。近年注目を集めている Ga_2O_3 等とのヘテロ接合を見据えて、更に大きなバンドギャップを有する p 型材料が求められている。そこで、 NiO と同じ岩塩構造を有し、バンドギャップ 7.8 eV である MgO との混晶である Ni1-XMgXO に注目した。本研究では、ミスト CVD 法による c 面 Al_2O_3 基板上へのNi_(1-X)Mg_XO 薄膜エピタキシャル成長と、光学バンドギャップの変化について検討した。