Process Manufacturing Engineering Center, Semiconductor company, TOSHIBA Corp. 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwak-ku, Kawasaki, 212-8583 Japan;
photomask; lithography; immersion; hyper NA;
机译:长时间LCD-TFT光刻工艺中光掩模表面污染的生长机理和抑制技术
机译:使用双面(结构化)光掩模进行掩模对准器光刻的硅通孔制造的优化光刻工艺
机译:超基光刻照明系统光学材料中残留双折射的偏振模拟与分析
机译:Hyper-Na光刻中的光掩模技术
机译:利用激光诱导的等离子体对光刻光掩模上的纳米膜进行材料改变和无损伤纳米颗粒去除。
机译:亚10 nm特征铬光掩模用于方形金属环阵列的接触光刻构图
机译:Hyper-Na浸入式光刻对照明器缺陷的敏感性