Toppan Photomasks, Inc., 400 Texas Avenue, Round Rock, TX, USA 78664;
scanner overlay correction; mask registration; FLASH memory; exploratory data analysis;
机译:金属功函数对采用Fowler-Nordheim P / E模式的电荷陷阱型闪存设备的存储性能的影响
机译:程序/擦除循环间隔对NAND闪存设备跨导分布的影响
机译:
机译:Photomask注册规范及其对闪存设备的影响
机译:设计用于非易失性闪存设备的纳米晶体浮栅。
机译:基于芴的新型共轭侧链含氟聚合物用于发光和三元闪存器件
机译:通过设计用于x8 NaND闪存器件的闪存控制器的性能增强
机译:在某些EpROm,EEpROm,闪存和闪存微控制器211半导体器件以及包含它的产品中。调查编号337-Ta-395