Research Development Group, Toppan Photomasks, Inc. 400 Texas Avenue, Round Rock, TX 78664;
CD uniformity; DUV; mask pattern generation system; multi-beam; OPC; pattern fidelity;
机译:使用硅化物直接写入电子束光刻工艺制造用于DUV和EUV光刻的掩模
机译:六英寸晶圆上纳米压印光刻的图案转移保真度
机译:基于激光作者的UV光刻优化,具有高倍率光学仪表X射线光刻掩模模板
机译:从下一代Duv激光光刻上的模式保真性能,65nm面罩和晶片
机译:用于自然缺陷分析的极紫外光刻掩模版的局部掩模图案
机译:通过化学剥离光刻技术对晶圆级生物活性衬底进行构图
机译:勘误:使用纳米压印光刻技术从大面积表面获得纳米线生长的图案保真度的策略(Nano Research,(2016),9,10,(2852-2861),10.1007 / s12274-016-1165-z)