Microelectronics Center Electronic Systems, BAE Systems Nashua, NH 03061, USA;
Gallium nitride; HEMTs; Logic gates; MMICs; MODFETs; Power amplifiers; Substrates; GaN; HEMT; Ka band; MMIC; MMW; gallium nitride; high electron mobility transistor; millimeter-wave; monolithic microwave integrated circuit; power amplifier; wideband;
机译:用于高级收发器设计的基于AlGaN / GaN HEMT的微带MMIC工艺
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:使用100 nm AlGaN / GaN双栅极HEMT的V波段应用的高增益大功率放大器MMIC
机译:S3-P3:用于毫米波MMIC应用的高级无现场板AlGaN / GaN Hemts
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:0.1μmAlgan/ GaN高电子迁移率(HEMTS)工艺的改进的大信号模型及其在W频段中实际单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型