机译:In_(0.7)Ga_(0.3)As / InAs / In_(0.7)Ga_(0.3)As / InAs / In_(0.7)Ga_(0.3)As双通道双栅极HEMT的薄层载流子密度和Ⅰ-Ⅴ分析应用领域
机译:片载体密度和Ⅰ-ⅴIN_(0.7)GA_(0.3)的分析为/ INAS / IN_(0.7)GA_(0.3)为/ INAS / IN_(0.7)GA_(0.3)作为THZ的双通道双栅极HEMT应用程序
机译:E-Mode的RF和DC性能的研究IN_(0.80)GA_(0.20)AS / INAS / IN_(0.80)GA_(0.20)作为基于信道的DG-HEMTS,用于未来的Sublilimetre Wave和THz应用程序
机译:INAS HEMT用于太赫兹应用
机译:基于砷化铟镓/磷化铟和氮化铝镓/氮化镓HEMT中二维电子气中的等离激元激发的可调太赫兹探测器。
机译:用于超低功耗低噪声应用的100MTnm AlSb / InAs HEMT
机译:100 NM ALSB / INAS HEMT用于超低功耗,低噪声应用