机译:通过阻挡层中的Mg掺杂降低InGaN基绿色发光二极管的效率下降和极化场的修改
机译:在GaN势垒中插入p-InGaN层的蓝色InGaN基发光二极管的效率和下垂度的改善
机译:具有InAIGaN势垒的InGaN基紫外发光二极管的效率下降的研究
机译:基于IngaN的近UV LED效率下垂的研究与第四纪禁区
机译:氮化铟镓/氮化镓多量子阱LED的工程效率下降
机译:理解基于InGaN的发光二极管效率下降的实验方法综述
机译:通过将AlGaN势垒与GaN势垒交替来降低InGaN LED的效率下降