Dept. of Fundamental Engineering, Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba Meguro-ku, Tokyo, 153-8505, Japan;
机译:从头算DFT研究碳化硅多型体的理想剪切强度
机译:从头开始研究单晶β-Si_3N_4的理想拉伸和剪切强度
机译:从头开始研究(100)硅薄膜的表面性质和理想强度
机译:AB Initio DFT研究共价系统中晶体和表面的理想强度
机译:半经验和从头开始研究共价晶体和FCC金属的理想强度和弹性
机译:碳浓度对B-C-O系统中B2CxO化合物的晶体结构和理想强度的影响
机译:AB Initio对共价晶体理想强度的研究:多轴应力和结构的影响