Materials Science and Technology Division;
机译:出版者注:“在基于Cl和Br的等离子体中进行Si蚀刻的分子动力学模拟:Cl和Br中性离子存在下Cl〜+和Br〜+离子的发生率” [J.应用物理118,233304(2015)]
机译:在基于Cl和Br的等离子体中进行Si蚀刻的分子动力学模拟:Cl和Br中性离子存在下Cl〜+和Br〜+离子的入射
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机译:出版商的注意事项:“基于CL和BR基等离子体中Si蚀刻的分子动力学模拟:Cl +和Br +离子发生在Cl和Br中性存在下”J。苹果。物理。 118,233304(2015)
机译:氯,氯二聚体,溴和溴二聚体阳离子对硅反应离子刻蚀的分子动力学模拟和热化学