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InGaN量子点的MOVPE生长

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本文采用M0VPE技术生长了InGaN量子点并进行了评测。其中，紫外量子点利用了交替通断源的方法，而绿光量子点利用了生长中断的方法。

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来源
《2011全国光电子与量子电子学技术大会》|2011年|156-158|共3页
会议地点北京
作者
赵维; 汪莱; 郝智彪; 罗毅;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类激光材料及工作物质;
关键词
M0VPE技术; InGaN量子点; 紫外量子点; 交替通断源; 绿光量子点; 生长中断;
入库时间 2022-08-17 11:13:19

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