Si/C反应低温合成SiC晶须的机制研究

摘要

采用Si和石墨为原料,Ar保护,于1350°C保温5h合成SiC晶须,对生成物的分布状态、相组成和显微结构进行检测分析,结合热力学计算分析,研究了Si/C反应低温合成SiC晶须的机制.结果表明:1)Si源和C源以气相的形式参与反应,低浓度的Si源更有利于合成高品质的SiC晶须;2)微量的O2对合成SiC的反应起到传质作用,Si和C首先被O2氧化为气相的SiO和CO,气相的SiO和CO反应生成SiC和O2.