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喷雾热解法制备CuInS2薄膜

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本文采用超声喷雾热解法在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和金相显微镜(MM)表征了样品的结构和形貌.研究了基板沉积温度、Cu/In原子比等因素对薄膜质量的影响.结果表明,在基板温度440℃,原子比为1.2时制备出高质量的CuInS2薄膜.用分光光度计测试了其光学性能,计算得到常温下禁带宽度为1.45eV,接近太阳电池的理想禁带宽度1.5eV,适合用作薄膜太阳电池的吸收层材料.

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来源
《第八届华东三省一市真空学术交流会》|2013年|296-302|共7页
会议地点合肥
作者
彭香艺; 刘伟; 吴琼; 蔡瑜琨; 莫晓亮; 陈国荣;
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作者单位

安徽省真空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
三元化合物半导体薄膜材料; 制备工艺; 喷雾热解法; 性能指标; 测试方法;

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