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NAND Flash储器总剂量效应测试技术研究

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本文首先分析了NAND型Flash存储器的总剂量效应失效模式,然后根据器件的失效模式和失效现象对测试系统的功能提出了要求,并对测试系统的实现方法进行了介绍.利用研制的测试系统,进行了NAND型Flash存储器总剂量辐照实验,研究了辐照偏置和工艺尺寸对器件总剂量效应的影响.

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来源
《中国核学会2013年学术年会》|2013年|87-92|共6页
会议地点哈尔滨
作者
SHENG Jiang-kun; 盛江坤; 邱孟通; QIU Meng-tong; YAO Zhi-bin; 姚志斌; HE Bao-ping; 何宝平; HUANG Shao-yan; 黄绍艳; LIU Min-bo; 刘敏波; 肖志刚; XIAO Zhi-gang; WANG Zu-jun; 王祖军;
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作者单位

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TP333:TP306.2;
关键词
非易失性存储器; 总剂量效应; 失效模式; 测试系统;
入库时间 2022-08-17 10:56:41

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