单晶硅表面制备Co-P化学镀层及其性能研究

摘要

采用化学镀工艺在p型＜100＞单晶硅表面制备了含P量约7.31at,％的Co-P镀层,研究了镀层的显微结构、腐蚀性能和磁性.结果表明,Co-7.31at％P镀层为密排六方结构,平均晶粒尺寸为24nm,表面均匀分布着微米级枯叶状团簇,团簇之间存在纳米级孔隙.镀层在10.0％NaOH溶液中耐蚀性最好,在3.5％NaCl溶液中次之,在1.0％H2SO4溶液中的耐蚀性最差.室温下镀层表现出明显的磁各向异性,易磁化方向的饱和磁化强度和矫顽力分别为138.5A/(m2·kg)和25870.0A/m.