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Ge材料导带电子的晶格振动散射

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摘要

载流子的散射机制对锗材料的迁移率及光学性质具有重要的影响.本文通过构建直接带(Г)能谷谷内散射、间接带L能谷谷内散射以及(Г)能谷与L能谷之间的声子散射模型,计算载流子不同类型的散射几率,为能带改性锗材料在微电子、光电子等领域提供理论参考价值.

著录项

来源
《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会》|2017年|55-56|共2页
会议地点厦门
作者
黄诗浩; 谢文明; 汪涵聪; 林光杨; 王佳琪; 黄巍; 李成;
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作者单位

厦门大学;

浙江大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.11;
关键词
锗材料; 能带结构; 晶格振动; 散射几率;
入库时间 2022-08-17 11:23:30

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