焊盘晶粒度对Cu/Sn固液反应化合物生长的影响

摘要

本文采用两种焊盘材料,即高纯铜(HP Cu)和物理沉积铜膜(PVD Cu),研究了焊盘晶粒度对Cu/Sn接头液/固界面化合物生长的影响.结果表明,HP Cu的表面晶粒度为30μm,远大于PVD Cu的表面晶粒度,300nm.经过0～20min不同时间的液/固反应,发现Sn/HP Cu和Sn/PVD Cu两种接头的界面化合物生长受界面反应速率的控制.由于PVD Cu的晶粒度细小,界面反应速率大,化合物的生长速度快.随着反应时间的延长,Cu3Sn化合物层变得越来越明显.说明Cu3Sn化合物是可以出现在回流阶段的.另外,对化合物层的顶端形貌也进行了观察.