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InAs/GaAs低维结构中载流子的快速俘获和弛豫

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该文用飞秒时间分辨激发--探测技术研究了InAs/GaAs异质结构中的非平衡载流子的快速俘获和弛豫过程。

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来源
《第五届全国分子束外延学术会议》|1999年|169-170|共2页
会议地点昆明
作者
李晴; 许继宗; 徐仲英; 葛惟尼;
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作者单位

中国物理学会;

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
InAs/GaAs低维结构; 载流子; 快速俘获; 弛豫;

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1. InAs/GaAs 低维结构中载流子快速俘获过程的研究 [J] . 李晴 ,徐仲英 ,葛惟昆 . 红外与毫米波学报 . 2000,第005期
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