GaAs衬底的GaN蓝光二极管的工艺设计

摘要

作者们利用光学薄膜原理论上计算了利用金属薄膜作为反射，利用WB(wafer bonding)方法去掉GaAs衬底并将之替换成Si衬底，从而提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性。从计算中可以得出，以Ni为粘附层，Ag为反射的Ni/Ag/Au薄膜体系具有最佳的效果，采用这个方案可以使立方GaN的出光效率从理论上提高3倍左右。