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CMOS图像传感器4T像元噪声抑制技术

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为了抑制本底噪声,提高图像动态范围,首先给出CMOS图像传感器的4T像素结构,分析该结构下的基本噪声源,然后分别讨论了各本底噪声分量的形成及对信号的影响,并以噪声电子数的形式对各噪声分量进行了定量分析,提出了相应的噪声抑制措施,且进行了仿真验证.

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来源
《下一代航天光电探测技术与器件研讨会》|2014年|196-202|共7页
会议地点北京
作者
LI Dong; 李栋;
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作者单位

中国航天科技集团元器件保证研究中心;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM938.865:TM930.7;
关键词
互补金属氧化物半导体图像传感器; 4T像素结构; 噪声抑制技术; 成像质量;
入库时间 2022-08-17 10:30:08

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