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掺铬氮化铝室温磁性半导体

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利用磁控溅射方法制备了Cr_AlN薄膜,通过磁性测量发现在300K具有明确的磁滞回线,居里温度高于340K.

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来源
《第十一届全国磁学和磁性材料会议》|2002年|499-499|共1页
会议地点长沙
作者
杨绍光; A.B.PAKHOMOV; S.T.HUNG; C.Y.WONG; 都有为;
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作者单位

中国电子学会;

中国物理学会;

中国金属学会;

中国稀土学会;

中国计量测试学会;

中国仪器仪表学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类磁性半导体、磁阻半导体;
关键词
磁控溅射法; 磁性半导体; 薄膜; 磁滞回线;
入库时间 2022-08-17 11:11:48

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