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秦吉红; 袁峰; 冯世平;
中国物理学会;
科技部;
国家超导中心;
中科院物理所;
铜氧化物; 输运性质; 双层掺杂; 超导体;
机译:欠掺杂高T_c铜氧化物中的常态节点电子结构
机译:氧化学计量比对纳米晶欠掺杂LCMO的磁和磁输运性质的影响
机译:非导电超掺杂La_(1.65)Sr_(0.35)CuO_4包覆的超导欠掺杂La_(1.88)Sr_(0.12)CuO_4岛双层中的常规接近效应
机译:非磁性掺杂对Mn掺杂ZnO稀磁半导体的磁输运性质的影响
机译:氧化的电子掺杂超导体铈铈铜氧化物中的无序和掺杂。
机译:多元醇介导的合成Ni掺杂LiMn2O4尖晶石的电化学和电荷输运性质
机译:非常规高能态对铜氧化物欠掺杂超导体HgBa 2 Ca 2 Cu 3 O 8 +δ中Cooper配对的贡献
机译:铜氧化物中掺杂诱导态的局部振动和电子激发
机译:获得铜氧化物和过渡金属掺杂的铜氧化物复合物并将其用作半导体光电系统和逻辑门的方法
机译:掺杂铜氧化物的氧化锌纳米粒子的合成及其用途
机译:掺杂锌的铜氧化物材料制成的超导体
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