电容式单芯片纹膜微传声器制备工艺改进

摘要

对单片纹膜电容式微传声器的工艺设计进行改进,将体硅微加工放大部分的表面硅微加工之后进行.由此带来的以体硅腐蚀时硅片的正面保护和体硅腐蚀的控制等新的工艺问题.本文进一步探讨了黑胶,704胶,夹具三种方式进行硅片正面的保护的可行性;以及实现湿法腐蚀的自停止的相关问题.这种工艺改进不仅可以保持微传声器在10v偏置电压下有7kHz下的平直频响,40mv/Pa的开路灵敏度;而且大大提高了工艺流程的稳定性和成品率.