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离子束辅助沉积制备TiN/Si<,3>N<,4>纳米超硬膜的工艺研究

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本文采用离子束辅助沉积法在单晶硅片进行沉积制备了TiN/Si<,3>N<,4>纳米复合超硬薄膜,研究了辅助束流轰击能量和Ti/Si靶面积比等工艺参数对TiN/Si<,3>N<,4>纳米复合超硬薄膜性能的影响.

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来源
《2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议》|2004年|133-137|共5页
会议地点乌鲁木齐
作者
张平; 杜月和; 蔡志海; 熊万全; 谭俊;
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作者单位

中国电工技术学会;

中国电子学会;

中国电机工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;薄膜的生长、结构和外延;
关键词
离子束辅助沉积; 纳米复合; TiN/Si,3N,4薄膜; 超硬薄膜;

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