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化合物半导体太赫兹(THz)发射光谱的研究

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本文利用反射式太赫兹(THz)辐射产生与探测系统,研究了基于不同半导体的太赫兹(THz)发射光谱.通过快速傅立叶变换(THz),我们由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱,从而对不同半导体的THz发射性质进行了比较.结果表明,未掺杂的砷化铟(InAs)较其他半导体有更高效的THz发射本领.

著录项

来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|p.17-21|共5页
会议地点大连
作者
赵国忠; 张振伟; 崔伟丽; 张存林;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体理论;
关键词
半导体; 电光取样; 发射光谱;
入库时间 2022-08-17 11:03:24

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